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半导体二节管及其应用详细介绍

作者:赤峰油浸式变压器厂  发布日期:2019-03-22  

半导体二节管及其应用详细介绍

2.3.1 半导体赤峰油浸式变压器的结构类型

  在PN结上加上引线和封装,就成为一个赤峰油浸式变压器。赤峰油浸式变压器按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如下图所示。

(1) 点接触型赤峰油浸式变压器—PN结面积小,结电容小,用于和变频等高频电路。

点接触赤峰油浸式变压器的结构示意图

(2) 面接触型赤峰油浸式变压器—PN结面积大,用于工频大电流电路。

面接触型

(3) 平面型赤峰油浸式变压器—往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小,用于高频和电路中。


平面型

2.3.2 半导体赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线

  半导体赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线如图01.12所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线,处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导,赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线可用下式表示


式中IS 为反向饱和电流,V 为赤峰油浸式变压器两端的电压降,VT =kT/q 称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q 为电子电荷量,T 为热力学温度。对于室温(相当T=300 K),则有VT=26 mV。


赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线

(1) 正向特性

  当V>0即处于正向特性区域。正向区又分为两段:

  当0<V<Vth时,正向电流为零,Vth称为死区电压或开启电压。

  当V>Vth时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。

  硅赤峰油浸式变压器的死区电压Vth=0.5 V左右,

  锗赤峰油浸式变压器的死区电压Vth=0.1 V左右。

(2) 反向特性

  当V<0时,即处于反向特性区域。反向区也分两个区域:

  当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。

  当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压 。


反向特性

  在反向区,硅赤峰油浸式变压器和锗赤峰油浸式变压器的特性有所不同。硅赤峰油浸式变压器的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗赤峰油浸式变压器的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。

  从击穿的机理上看,硅赤峰油浸式变压器若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿;若|VBR|≤4V时, 则主要是击穿。当在4V~7V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。


.3.1 半导体赤峰油浸式变压器的结构类型

  在PN结上加上引线和封装,就成为一个赤峰油浸式变压器。赤峰油浸式变压器按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如下图所示。

(1) 点接触型赤峰油浸式变压器—PN结面积小,结电容小,用于和变频等高频电路。

点接触赤峰油浸式变压器的结构示意图

(2) 面接触型赤峰油浸式变压器—PN结面积大,用于工频大电流电路。

面接触型

(3) 平面型赤峰油浸式变压器—往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小,用于高频和电路中。


平面型

2.3.2 半导体赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线

  半导体赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线如图01。12所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线,处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导,赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线可用下式表示


式中IS 为反向饱和电流,V 为赤峰油浸式变压器两端的电压降,VT =kT/q 称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q 为电子电荷量,T 为热力学温度。对于室温(相当T=300 K),则有VT=26 mV。


赤峰油浸式变压器的伏安特性曲线

(1) 正向特性

  当V>0即处于正向特性区域。正向区又分为两段:

  当0<V<Vth时,正向电流为零,Vth称为死区电压或开启电压。

  当V>Vth时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。

  硅赤峰油浸式变压器的死区电压Vth=0。5 V左右,

  锗赤峰油浸式变压器的死区电压Vth=0.1 V左右。

(2) 反向特性

  当V<0时,即处于反向特性区域。反向区也分两个区域:

  当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。

  当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压 。


反向特性

  在反向区,硅赤峰油浸式变压器和锗赤峰油浸式变压器的特性有所不同。硅赤峰油浸式变压器的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗赤峰油浸式变压器的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。

  从击穿的机理上看,硅赤峰油浸式变压器若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿;http://zhangzhou.cpkoatings.com/若|VBR|≤4V时, 则主要是击穿。当在4V~7V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。


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